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2SK2094
Transistors
Electrical characteristics curve
10
pe
t o i
10
5
2
1
0.5
D
P
W =
C
O
m
ra
s
n
4
3
2
10V
8V
6V
4V
Ta = 25 ° C
Pulsed
V GS = 3V
5
2
1
0.5
0.2
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V DS = 10V
Pulsed
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02 Tc = 25 ° C
1
0.02
0.01
0.01
Single pulse
0
0.005
0.1 0.2 0.5 1
2
5
10 20
50 100
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Maximum Safe Operating Area
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.2 Typical Output Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
4
3
V DS = 10V
l D = 1mA
10
5
2
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 10V
Pulsed
10
5
2
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 4V
Pulsed
2
0.5
0.2
0.1
0.5
0.2
0.1
1
0.05
0.02
0.05
0.02
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100 125 15 0
0.01
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
0.01
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
CHANNEL TEMPERATURE : Tch ( ° C)
DRAIN CURRENT : I D (A)
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.4 Gate Threshold Voltage
Fig.4 vs. Channel Temperature
Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance
Fig.5 vs. Drain Current ( Ι ) Fig.6 vs. Drain Current ( ΙΙ )
0.6
0.5
0.4
0.3
I D = 2A
1A
Ta = 25 ° C
Pulsed
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
V GS = 10V
I D = 1A
Pulsed
10
5
2
1
0.5
0.2
Ta = ? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
V DS = 10V
Pulsed
0.2
0.1
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0
0
5
10
15
20
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100 125 150
0.01
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance
Fig.7 vs. Gate-Source Voltage
CHANNEL TEMPERATURE : Tch ( ° C)
Fig.8 Static Drain-Source On-State Resistance
Fig.8 vs. Channel Temperature
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Forward Transfer Admittance
Fig.9 vs. Drain Current
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